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工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压，二是控制也要加正向电压。以上两个条件，同时具备，可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后，即使降低控制电压或去掉控制电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压，使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴，而是把与控制相近的叫做电A1，另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，采取相应的保护措施。
电位器:是阻值可以调整的电阻器，用“W或RP”表示;有旋转式、直滑式、带开关式;用万用表电阻挡测旁边两脚得实际阻值，分别测中间脚与旁边两脚，均匀调动转轴，表针均匀摆动无跳动为好;按“左入右地中间出” 接线;接触不良用无水酒精清洗即可。电容器 代号:C电容器是一种容纳贮存电荷的器件，简称电容。电路中一般用“C”加数字表示。分无和有两类，有新电容长脚为正、短脚为负。特性:隔直流电通交流电。
半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线，再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多，按材料分有锗二极管，硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分有点接触二极管和面接触二极管；按工作原理分隧道二极管，雪崩二极管，变容二极管等；按用途分有检波二极管，整流二极管，开关二极管等。
作用:隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路、能量转换控制电路等方面。好坏判别:两短路放电后，用万用表电阻挡测，表针摆出后能返回到原处为好;表针摆出后不返回为短路;表针摆出后返回不到原处为好漏电;表针不摆出为开路;短路、开路、漏电严重为损坏。对于小电容，测量表针不摆动，再用串联“电笔法”或“交流信号法” 判定好坏，电容器构造:由两片金属膜紧靠引出脚，中间用缘介质材料隔开而组成的元件。