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可见，在整个v1周期内，流过二管的电流iV1、iV2叠加形成全波脉动直流电流iL，于是RL两端产生全波脉动直流电压vL。故电路称为全波整流电路。。全波整流电路，可以看作是由两个半波整流电路组合成的。变压器次级线圈中间需要引出一个抽头，把次组线圈分成两个对称的绕组，从而引出大小相等但性相反的两个电压e2这种电路中，每只整流二管承受的大反向电压，是变压器次级电压大值的两倍，因此需用能承受较高电压的二管。
电容器是电子设备中大量使用的元件之一，它具有隔直流和分离各种频率的能力，广泛用于隔直流，耦合，旁路，滤波，去耦，移相，谐振回路调谐，波形变换（微分，积分），能量转换，控制电路中的时间常数设定等。
电感的基本单位为:亨（H） 换算单位有:1H=103mH=106uH。变容二管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二管。管变容二管是根据普通二管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种二管。晶体三管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三管是半导体的基本元件之一。它具有电流放大功能，是电子电路的核心部件。三管是由两个彼此接近的PN结在半导体基片上制成的。两个PN结将大块半导体分为三部分，中间部分为基区，两侧为发射区和集电区，排列为PNP和NPN。晶体管在电路中经常用“q“加上数字来表示。晶体管是一种的器件，它含有两个PN结，具有放大能力。场效应晶体管缩写为FET。导体涉及多数传导，也称为单晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（108~109Ω），低噪声，低功耗，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽工作区等。它已成为功能强大的双晶体管和功率晶体管。竞争者。