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电容通常由电路中的“C”加数字表示。电容是由两个相互接近的金属薄膜组成的元件，由缘材料隔开。电容的主要特点是与直流和交流相分离。电容容量是能够存储电能的大小。电容对交流信号的阻碍称为电容电抗，它与交流信号的频率和电容有关。电话中常用的电容器类型有电解电容器、陶瓷电容器、贴片电容器、单片电容器、钽电容器和聚酯电容器。固态电子装置中的半导体端子装置。这些器件的主要特点是具有非线性电流电压特性。此后，随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布和几何结构，开发了多种结构多样、功能用途不同的晶体二管。制造材料包括锗、硅和化合物半导体。晶体二管可用于产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
二管的主要特性是单向导电，即在正向电压作用下导通电阻很小，而在反向电压作用下导通电阻是大或无限大的。由于上述特性，二管常用于无绳电话的整流、隔离、稳压、性保护、编码控制、调频降噪等电路中。用数字万用表测量二管时，红表笔连接二管的正和黑表笔连接二管的负是二管的正导通电阻，与指针万用表的表笔连接方法正好相反。齐纳二管，这种二管是一种半导体器件，具有高电阻，直到临界反向击穿电压。齐纳二管的特点是击穿后，齐纳二管两端的电压基本不变。当稳压器连接到电路时，如果电源的电压发生波动，或者其他原因导致电路中各点的电压发生变化，则负载两端的电压将基本保持不变。
半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线，再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多，按材料分有锗二极管，硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分有点接触二极管和面接触二极管；按工作原理分隧道二极管，雪崩二极管，变容二极管等；按用途分有检波二极管，整流二极管，开关二极管等。
三相电功率:三相交流电的功率等于各相功率之和。在对称负载的情形下，各相的电压均为Uφ、相电流Iφ以及功率因数cosφ都相等。因此三相电路的平均功率可写为:P =3UφIφcos。负载---就是用电器。在电路中使用电能的各种设备统称为负载。电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差，叫做电动势或者简称电势。用字母E表示，单位为:伏特V。击穿---缘物质在电场的作用下发生剧烈放电或导电的现象叫击穿。