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晶体三管在电路中常用“Q”加数字表示，如:Q17表示编号为17的三管。特点:晶体三管（简称三管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高 （108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
二管的主要特性是单向导电，即在正向电压作用下导通电阻很小，而在反向电压作用下导通电阻是大或无限大的。由于上述特性，二管常用于无绳电话的整流、隔离、稳压、性保护、编码控制、调频降噪等电路中。用数字万用表测量二管时，红表笔连接二管的正和黑表笔连接二管的负是二管的正导通电阻，与指针万用表的表笔连接方法正好相反。齐纳二管，这种二管是一种半导体器件，具有高电阻，直到临界反向击穿电压。齐纳二管的特点是击穿后，齐纳二管两端的电压基本不变。当稳压器连接到电路时，如果电源的电压发生波动，或者其他原因导致电路中各点的电压发生变化，则负载两端的电压将基本保持不变。
电子设备中使用的保护元件有熔断电阻器，普通熔断器，热熔断器和自恢复熔断器等。保护元件一般是串接在电路中的，它在电路中出现过电流，过电压或过热等异常现象时，会立即熔断而起到保护作用，可防止故障进一步扩大。
发光二管:它是半导体二管的一种，可以把电能转化成光能;代号LED;也具有单向导电性，反向击穿电压约5伏，使用时串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算: R=(E-UF)/IF 式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的一般工作电流。LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，消耗能量较同光效的白炽灯减少80%;使用10万小时后，光衰为初始的50%。