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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
1 F =1000 mF 1 F mF =1000 uF 1 uF =1000 nF 1 nF =1000 pF容量允许误差标示:符 号 F±1% ; G±2%; J ±5%;K ±10%;L±15% M±20%如:一瓷片电容为104J表示 容量为0. 1 uF、误 差为±5%。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明;如10 uF/16V
单 双 向 可 控 硅 形 状:三管:代号: BG 或Q、V、T;是一种电流控制型器件半导体元器件，又称晶体管;它由两个PN结构成，有三个电，分别称基(B)称集电称(C)发射(E);按导电类型分有PNP型和NPN型两种管;按功率分有大、中、小功率三种管;按用途分有高、低频两种管;晶体三管的电流放大系数随温度升高而增大，在实际电路中，主要应用了放大电路和开关电路，是一种小电流控制大电流的放大元件。
负载---就是用电器。在电路中使用电能的各种设备统称为负载。击穿---缘物质在电场的作用下发生剧烈放电或导电的现象叫击穿。电气连接--- 导体与导体之间直接提供电气通路的连接(接触电阻近于零)。电感----自感与互感的统称。脉动电流----大小间变化而方向不变的电流，叫做脉动电流。振幅----交变电流在一个周期内出现的大值叫振幅。三管放大电路的基本原理如下图以NPN管为例，我们把从基B流至发射E的电流叫做基电流Ib;把从集电C流至发射E的电流叫做集电电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射的，所以发射E上就用了一个箭头来表示电流的方向。