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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
1H=1000mH 1mH=1000uH电 感 器 的 形 状电源变压器 代号:B是由一个原线圈与一个或多个副线圈在缘骨架加上硅钢片铁芯绕制成的;原理是电磁感应现象，即电生磁、磁再生电的原理;原线圈输入的是原来的交流电，经过线圈变化的电流产生变化的磁场，变化的磁场穿过副线圈，于是便产生了变化电流从副线圈输出。变压器转换的是交变电流(交流电)。初级次级电压和线圈圈数间具有下列关系:
放大能力测量:用万用表R×10KΩ挡;PNP管红表笔接C，黑表笔接E;NPN管黑表笔接C，红表笔接E;用手指接通B与C时，表针摆动幅度越大说明该项管放大能力越好。表针无摆动为无放大能力已损坏。 符号:三管的三种工作状态放大状态:三管的BE加正向电压时，在正偏状态(BE之间电压为0.5-0.7V)这时集电与发射之间的电流大小受基控制，三管处于放大(导通)状态。饱和(导通)状态:三管的BE加正向电压时，在超正偏状态(BE之间电压大于0.7V以上)这时集电与发射之间的电阻很小，就像开关闭合一样，三管处于饱和(导通)状态。
常用晶体三管的封装形式有金属封装和塑料封装2大类，引脚的排列方式具有一定的规律。晶体三管的三个，分别称为基（b)、集电（c）和发射（e），发射上的箭头表示流过三管的电流方向。集成电路是将二管、三管和电阻电容等元件按照电路结构的要求，制作在一小块半导体材料上，形成一个完整的具有一定功能的电路，然后封装而成，它的文字符号是ic。集成电路是60年代后期，随着电子技术的发展而迅速发展起来的。使用集成电路和使用分立元件组装的电路相比，具有元件少、重量轻、体积小、性能好和省电等多项优点，所以电子产品的集成化已成为电子技术发展的趋向。