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常用晶体三管的封装形式有金属封装和塑料封装2大类，引脚的排列方式具有一定的规律。晶体三管的三个，分别称为基（b)、集电（c）和发射（e），发射上的箭头表示流过三管的电流方向。集成电路是将二管、三管和电阻电容等元件按照电路结构的要求，制作在一小块半导体材料上，形成一个完整的具有一定功能的电路，然后封装而成，它的文字符号是ic。集成电路是60年代后期，随着电子技术的发展而迅速发展起来的。使用集成电路和使用分立元件组装的电路相比，具有元件少、重量轻、体积小、性能好和省电等多项优点，所以电子产品的集成化已成为电子技术发展的趋向。
辨认法子:电容的识别办法与电阻的识别办法根底沟通，分直标法、标法与数标法3种。电容的根蒂根基单元用法拉(F)体现，别的单元另有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。此中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接疏解，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母展现或数字泄漏表现字母显现法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字显露法:一样平经常使用三位数字泄漏表现容量大小，前两位显示有用数字，第三位数字是倍率。如:102表现10×102PF=1000PF 224显示22×104PF=0.22 uF3、电容容量短处表符 号 F G J K L M核准坏处 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如:一瓷片电容为104J显示容量为0. 1 uF、弊端为±5%。
半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线，再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多，按材料分有锗二极管，硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分有点接触二极管和面接触二极管；按工作原理分隧道二极管，雪崩二极管，变容二极管等；按用途分有检波二极管，整流二极管，开关二极管等。
交流负反馈工作过程:当BG正信号输入时Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑降低了BG的增益。当BG负信号输入时Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-Ib↑--Ic↑--Vc↓降低了BG的增益。将发射电阻Re1和Re2合二而一，成为一个电阻Re，如图(c)所示，则在差模信号作用下Re中的电流变化为零，即Re对差模信号无反馈作用(相当于短路)，因此大大提高了对差模信号的放大能力.