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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
电位器:是阻值可以调整的电阻器，用“W或RP”表示;有旋转式、直滑式、带开关式;用万用表电阻挡测旁边两脚得实际阻值，分别测中间脚与旁边两脚，均匀调动转轴，表针均匀摆动无跳动为好;按“左入右地中间出” 接线;接触不良用无水酒精清洗即可。电容器 代号:C电容器是一种容纳贮存电荷的器件，简称电容。电路中一般用“C”加数字表示。分无和有两类，有新电容长脚为正、短脚为负。特性:隔直流电通交流电。
辨认法子:电容的识别办法与电阻的识别办法根底沟通，分直标法、标法与数标法3种。电容的根蒂根基单元用法拉(F)体现，别的单元另有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。此中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接疏解，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母展现或数字泄漏表现字母显现法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字显露法:一样平经常使用三位数字泄漏表现容量大小，前两位显示有用数字，第三位数字是倍率。如:102表现10×102PF=1000PF 224显示22×104PF=0.22 uF3、电容容量短处表符 号 F G J K L M核准坏处 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如:一瓷片电容为104J显示容量为0. 1 uF、弊端为±5%。
截止状态:三管的发射加反向电压或两断电压为零时,这时集电与发射之间的电阻很大，就像开关断开一样，三管处于截止(不导通)状态;(Vb ≤Ve)。放大电路:当基(输入端)输入一个较小的基电流时，其集电(输出端)将按比例产生一个较大的集电电流，这个比例就是三管的电流放大系数。(VC >Vb > Ve)放大作用的理解:三管不会产生能量，但它可以通过小电流控制大电流;放大的原理就在于:通过小的变化的交流输入，控制大的静态直流起较大的相应的变化