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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
稳压二管(又叫齐纳二管)，此二管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压二管在电路中常用“ZD”加数字表示，如:ZD5表示编号为5的稳压管。稳压二管的稳压原理:稳压二管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。故障特点:稳压二管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
单向可控硅 代号:BCR是一种半导体元器件又称晶体闸流管，单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二管相比，单向可控硅正向导通受控制电流控制;可控硅对控制电流没有放大作用。作用:整流、稳压、开关等作用。好坏判别:用万用表R×1K挡对换表笔测、AG正反向阻值均为∞，测GK正向阻值3—9K，反向阻值∞为好管。电判别:用万用表R×1K挡对换表笔测GK，正向阻值3—9K时，黑表笔接的一端为G(控制)，红表笔接的一端为K(阴)，另一端为A(阳)。
直标法:容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如2200uf/10v字母表示法:152m=1500pf数字表示法:一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如:102表示10×102pf=1000pf允许误差分三级，同于电阻器误差的表示方法。微调电容器和可变电容器标出了它的电容量的小值和大值，如7／270p电感线圈是将缘的导线在缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。