重庆大量回收手机WiFi模块整厂收购
制造工艺，也称为“制程宽度”。是在制作CPU核心时，核心上基本的功能单元CMOS电路的宽度。在CPU的制造工艺中，一般都是用微米来衡量加工精度。从上世纪70年代早期的10微米线宽一直到目前采用的0.13微米线宽，CPU的制造工艺都在不断地进步。制作工艺的提高，意味着CPU的体积将更小，集成度更高，耗电更少。封装是指安装CPU集成电路芯片用的外壳。封装不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强散热功能的作用，而且还是沟通芯片内部与外部电路的桥梁。芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、PQFP、PGA、BGA到FC-PGA，技术一代比一代（图6、7）。目前封装技术适用的芯片频率越来越高，散热性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，性也越来越高。
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高 1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻在电路中用“R”加数字表示，如:R1 表示编号为 1 的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。电容（或电容量，Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为 C，单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。
集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
ASIC 芯片定制化程度较高，设计开发周期长，成品需要做物理设计和性验，面市时间较慢。ASIC 芯片对算法依赖性较高。人工智能算法高速更新迭代，导致ASIC 芯片更新频率较高。 因ASIC 芯片定制化程度较高，研发周期相对漫长，扩大了ASIC 成品被市场淘汰的风险。 谷歌于2016 年推出TPU，谷歌旗下2017 版AlphaGo 物理处理器中镶嵌4 个TPU，可支持谷歌云TPU 平台和机器学计算机。