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IBM 通过模拟大脑结构于2014 年8 月推出制程为28 纳米的第二代TrueNorth芯片，可应用于实时视频处理。 英特尔于2017 年推出Xeon 系列ASIC 芯片。该系列芯片可独立充当处理器，无需附加主机处理器和辅助处理器，可应用于机器深度学。 斯坦福大学推出基于新神经形态计算架构的ASIC 芯片运算速度为普通电脑9,000倍，可模拟约100 万个大脑神经元、几十亿个突触连接。
晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。
标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c (f表示交流信号的频率，c表示电容容量)。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉(f)表示，其它单位还有:毫法(mf)、微法(uf)、纳法(nf)、皮法(pf)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法。
高反向工作电压，加在二管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了使用，规定了高反向工作电压值。反向电流是指二管在规定的温度和高反向电压作用下，流过二管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。晶体三管在电路中具有放大作用和开关作用。我们使用晶体三管在电路放大微弱的信号电流或制成自动开关，控制用电器的通断。晶体三管在电路中常用“q”加数字表示，如:q1表示编号为1的三管。
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