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制造工艺，也称为“制程宽度”。是在制作CPU核心时，核心上基本的功能单元CMOS电路的宽度。在CPU的制造工艺中，一般都是用微米来衡量加工精度。从上世纪70年代早期的10微米线宽一直到目前采用的0.13微米线宽，CPU的制造工艺都在不断地进步。制作工艺的提高，意味着CPU的体积将更小，集成度更高，耗电更少。封装是指安装CPU集成电路芯片用的外壳。封装不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强散热功能的作用，而且还是沟通芯片内部与外部电路的桥梁。芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、PQFP、PGA、BGA到FC-PGA，技术一代比一代（图6、7）。目前封装技术适用的芯片频率越来越高，散热性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，性也越来越高。
晶体二管在电子元器件中属于半导体两端器件，它具有一个重要的属性——单向导电性，即在正向电压的作用下，导通的电阻小；可是如果在反向的电压作用下通导的店租大甚至无穷大。正因为这个特性，晶体二管在一些电子设备中应用的广泛，比如在数字电路中充当无触点开关；在收音机中对无线电波进行检波等。晶体三管的全称是半导体三管，有时候也可以称为双性晶体管等，是一种用来控制电流的半导体器件。三管具有电流放大的作用，是电子电路的核心元件之一。
自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路(IC)后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。回顾集成电路的发展历程，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路(SSI)到今天特大规模集成电路(ULSI)发展过程的好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统(System-on-board)到片上系统(System-on-a-chip)的过程。
IC芯片(Integrated CircuitChip)是将大量的微电子元器件（晶体管、电阻、电容等）形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片。IC芯片包含晶圆芯片和封装芯片，相应 IC 芯片生产线由晶圆生产线和封装生产线两部分组成。