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无信道门阵列ASIC 芯片:无信道结构下，晶体管行之间不存在电路布空间，设计人员通常于门阵列单元上方进行布线;结构化门阵列ASIC 芯片:该结构包括基本门阵列行及嵌入块。嵌入块可提高线路布灵活度，但对芯片体积构成限制。该结构下，线路布面积使用效率较高，设计成本较低，周转时间较短。该类ASIC 芯片由选自标准单元库的逻辑单元构成。设计人员可按算法需求自行布置标准单元。除标准单元外，微控制器、微处理器等固定块也可用于标准单元ASIC 芯片架构。
晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。
分立器件，分为(1)双性晶体三管(2)场效应晶体管(3)可控硅(4)半导体电阻电容电阻在电路中用"R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻.电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等.电容在电路中一般用"C"加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流.电容的容量大小表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关.
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高 1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻在电路中用“R”加数字表示，如:R1 表示编号为 1 的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。电容（或电容量，Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为 C，单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。
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