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识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、标法和数标法 3 种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有:毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流 - 电压特性。此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。
集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。
无信道门阵列ASIC 芯片:无信道结构下，晶体管行之间不存在电路布空间，设计人员通常于门阵列单元上方进行布线;结构化门阵列ASIC 芯片:该结构包括基本门阵列行及嵌入块。嵌入块可提高线路布灵活度，但对芯片体积构成限制。该结构下，线路布面积使用效率较高，设计成本较低，周转时间较短。该类ASIC 芯片由选自标准单元库的逻辑单元构成。设计人员可按算法需求自行布置标准单元。除标准单元外，微控制器、微处理器等固定块也可用于标准单元ASIC 芯片架构。
在这历史过程中，世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求，其产业结构经历了三次变革。次变革:以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。70年代，集成电路的主流产品是微处理器、存储器以及标准通用逻辑电路。这一时期IC制造商(IDM)在IC市场中充当主要角，IC设计只作为附属部门而存在。这时的IC设计和半导体工艺密切相关。IC设计主要以人工为主，CAD系统仅作为数据处理和图形编程之用。IC产业仅处在以生产为导向的初级阶段。