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输出电流大时应采用降压式DC/DC变换器便携式电子产品大部分工作电流在300mA以下，并且大部分采用5#镍镉、镍氢电池，若采用1～2节电池，升压到3.3V或5V并要求输出500mA以上电流时，电池寿命不长或两次充电间隔时间太短，使用不便。这时采用降压式DC/DC变换器，其效率与升压式差不多，但电池的寿命或充电间隔时间要长得多。采用LDO的佳条件当要求输出电压中纹波、噪声小的场合，输入输出电压差不大，输出电流不大于100mA时采用微功耗、低压差（LDO）线性稳压器是合适的。
晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。
调制与侦测器技术突破，硅光子芯片互连应用指日可待。高速光通信在过去30几年来的发展下，已经成为有线高速信息传输的标准。在2000年受到美国经济泡沫化及网络市场对带宽需求不如预期的影响下，光通信产业与客户端的拓展曾经沉寂一段时间。过去除政府单位或具大型网络建置的企业外，一般终端使用者直接享受高比特率传输的机会并不高。虽然目前高速光通信应用的领域仍以远距离的骨干网络服务为主，但根据目前主流产学的评估，个人客户端传输比特率将在2015年与2023年分别提升至1Gbit/s与10Gbit/s。
芯片可以用于航天、汽车、工业、消费不同的领域，所以可以按照不同应用场景分类，分为民用级（消费级），工业级，汽车级，军工级芯片，主要是因为这些领域对芯片的性能要求不一样，尤其是温度范围、工艺精度、使用寿命等。举个例子:工业级芯片比商业级芯片的温度范围要更宽，航天级芯片的性能好，同时价格也贵。如今芯片的制造工艺也成为人们重点关注的对象，制程越代表着芯片的性能水平越高。因此芯片也可以按照制造工艺来分，常见的分类有5nm芯片，7nm芯片，14nm芯片，28nm芯片。
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