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广义而言，可编程ASIC 芯片可分为FPGA 芯片和PLD 芯片。在实际生产过程中，将FPGA 芯片列为不同于ASIC 芯片的研究机构和企业数量不断增加，故本报告仅将PLD(Programmable Logic Device)视为可编程ASIC 芯片子类别。PLD 亦称可编程逻辑器件，在结构上包括基础逻辑单元矩阵、触发器、锁存器等，其互连部分作为单个模块存在。设计人员通过对PLD 进行编程以满足部分定制应用程序需求。
分立器件，分为(1)双性晶体三管(2)场效应晶体管(3)可控硅(4)半导体电阻电容电阻在电路中用"R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻.电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等.电容在电路中一般用"C"加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流.电容的容量大小表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关.
相对半定制化ASIC 芯片，全定制化ASIC 芯片在性能、功耗等方面表现优秀。如应对相同功能，在同种工艺前提下，全定制化ASIC 芯片平均算力输出约为半定制化ASIC 芯片平均算力输出的8 倍，采用24 纳米制程的全定制化ASIC 芯片在性能上优于采用5 纳米制程的半定制化ASIC 芯片。构成半定制ASIC 芯片的逻辑单元大部分取自标准逻辑单元库，部分根据特定需求做自定义设计。相对全定制ASIC 芯片设计成本较低，灵活度较高。
相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管—分立晶体管。