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制造工艺，也称为“制程宽度”。是在制作CPU核心时，核心上基本的功能单元CMOS电路的宽度。在CPU的制造工艺中，一般都是用微米来衡量加工精度。从上世纪70年代早期的10微米线宽一直到目前采用的0.13微米线宽，CPU的制造工艺都在不断地进步。制作工艺的提高，意味着CPU的体积将更小，集成度更高，耗电更少。封装是指安装CPU集成电路芯片用的外壳。封装不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强散热功能的作用，而且还是沟通芯片内部与外部电路的桥梁。芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、PQFP、PGA、BGA到FC-PGA，技术一代比一代（图6、7）。目前封装技术适用的芯片频率越来越高，散热性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，性也越来越高。
集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。
识别方法:二管的识别很简单，小功率二管的 N （负），在二管外表大多采用一种圈标出来，有些二管也用二管符号来表示 P （正）或 N （负），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二管性的。发光二管的正负可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。测试注意事项:用数字式万用表去测二管时，红表笔接二管的正，黑表笔接二管的负，此时测得的阻值才是二管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
在选择电源芯片时，我们考虑成本、解决方案的外形尺寸、重量、电源、占空比及所需的输出功率、延长寿命等诸多因素，还需要结合满足电路性能的要求及性。电源芯片的选型有以下参考标准:优先考虑升压式DC/DC变换器采用升压式DC/DC变换器不仅效率高并且可减少电池数（减小整个电源体积及重量）。事实上，基于电感的DC/DC芯片是应用范围广的电源芯片，拥有升、降压均适用、效率高等优势，广泛应用于掌上电脑、相机、备用电池、微型电话、电机速度控制、显示偏置和颜调整器等。