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相对半定制化ASIC 芯片，全定制化ASIC 芯片在性能、功耗等方面表现优秀。如应对相同功能，在同种工艺前提下，全定制化ASIC 芯片平均算力输出约为半定制化ASIC 芯片平均算力输出的8 倍，采用24 纳米制程的全定制化ASIC 芯片在性能上优于采用5 纳米制程的半定制化ASIC 芯片。构成半定制ASIC 芯片的逻辑单元大部分取自标准逻辑单元库，部分根据特定需求做自定义设计。相对全定制ASIC 芯片设计成本较低，灵活度较高。
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构
按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三管、二管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二管、三管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二管、三管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。
稳压二管（又叫齐纳二管），此二管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压二管在电路中常用“ZD”加数字表示，如:ZD5 表示编号为 5 的稳压管。稳压二管的稳压原理:稳压二管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。故障特点:稳压二管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这 3 种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后 2 种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。