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  在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。

  稳压二管(又叫齐纳二管),此二管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压二管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。稳压二管的稳压原理:稳压二管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。故障特点:稳压二管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。

  Rb1---下偏置电阻;作用是与Rb2分压来稳定BG的工作点。使BG在温度变化时,基电压保持稳定从而地稳定工作。Rc---集电电阻;作用是为BG的集电供电,阻值大BG的电压放大倍数大、电流放大倍数小;阻值小BG的电压放大倍数小、电流放大倍数大。Re---发射电阻;实际上是一个直流负反馈电阻;作用是在温度变化时使BG能地稳定工作。直流负反馈工作过程:当BG温度上升时:Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑,这时Vb不变,基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑使BG能地稳定工作。

  辨认法子:电容的识别办法与电阻的识别办法根底沟通,分直标法、标法与数标法3种。电容的根蒂根基单元用法拉(F)体现,别的单元另有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。此中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接疏解,如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母展现或数字泄漏表现字母显现法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字显露法:一样平经常使用三位数字泄漏表现容量大小,前两位显示有用数字,第三位数字是倍率。如:102表现10×102PF=1000PF 224显示22×104PF=0.22 uF3、电容容量短处表符 号 F G J K L M核准坏处 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如:一瓷片电容为104J显示容量为0. 1 uF、弊端为±5%。

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