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根据标准逻辑单元和自定义逻辑单元数量搭配模式不同,半定制ASIC 芯片可细分为门阵列芯片和标准单元芯片。门阵列ASIC 芯片包括有信道门阵列、无信道门阵列和结构化门阵列。门阵列ASIC 芯片结构中硅晶片上预定晶体管位置不可改变,设计人员多通过改变芯片底端金属层等方式调整逻辑单元互连结构。有信道门阵列ASIC 芯片:该类芯片晶体管位置高度固定,设计人员可在晶体管行之间预定义的空白空间进行电路布;
晶体管发明并大量生产之后,各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用,取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步,使得集成电路成为可能。
相对半定制化ASIC 芯片,全定制化ASIC 芯片在性能、功耗等方面表现优秀。如应对相同功能,在同种工艺前提下,全定制化ASIC 芯片平均算力输出约为半定制化ASIC 芯片平均算力输出的8 倍,采用24 纳米制程的全定制化ASIC 芯片在性能上优于采用5 纳米制程的半定制化ASIC 芯片。构成半定制ASIC 芯片的逻辑单元大部分取自标准逻辑单元库,部分根据特定需求做自定义设计。相对全定制ASIC 芯片设计成本较低,灵活度较高。
丝印工艺现在的ic大厂早已淘汰,但很多芯片翻新因成本原因仍用丝印工艺,这也是判断依据之一,丝印的字会略微高于芯片表面,用手摸可以感觉到细微的不平或有发涩的感觉。不过,近来用激光打标机修改芯片标记的现象越来越多,是在内存及一些高端芯片方面,一旦发现激光印字的位置存在个别字母不齐、笔画粗细不均的,可以认定是翻新的。主要的方法是看整体的协调性,字迹与背景、引脚的新旧程度不符如字标过新、过清有问题的可能性也较大,但不少小厂是国内的某些小ic公司的芯片却生来如此,这为鉴定增添了不少麻烦,但对主流大厂芯片的判断此法还是很有意义的。
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