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按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三管、二管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二管、三管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二管、三管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。
晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。
能耗优势:ASIC 芯片单位算力能耗相对CPU、GPU、FPGA 较低，如GPU 每算力平均约消耗0.4 瓦电力，ASIC 单位算力平均消耗约0.2 瓦电力，更能满足新型智能家电对能耗的限制。 集成优势:因采用定制化设计，ASIC 芯片系统、电路、工艺高度一体化，有助于客户获得高性能集成电路。价格优势:受到体积小、运行速度高、功耗低等特点影响，ASIC 芯片价格远低于CPU、GPU、FPGA 芯片。当前市场ASIC 芯片平均价格约为3 美元，远期若达到量产规模，ASIC 芯片价格有望保持持续下降态势。
常用晶体三管的封装形式有金属封装和塑料封装2大类，引脚的排列方式具有一定的规律。晶体三管的三个，分别称为基(b)、集电(c)和发射(e)，发射上的箭头表示流过三管的电流方向。集成电路是将二管、三管和电阻电容等元件按照电路结构的要求，制作在一小块半导体材料上，形成一个完整的具有一定功能的电路，然后封装而成，它的文字符号是ic。集成电路是60年代后期，随着电子技术的发展而迅速发展起来的。使用集成电路和使用分立元件组装的电路相比，具有元件少、重量轻、体积小、性能好和省电等多项优点，所以电子产品的集成化已成为电子技术发展的趋向。
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