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LDO具有成本低、封装小、外围器件少和噪音小的特点，如果所设计的电路要求电源有高的噪音和纹波抑制，要求占用PCB板面积小（如手机等手持电子产品），电路电源不允许使用电感器（如手机），电源需要具有瞬时校准和输出状态自检功能，要求稳压器压降及自身功耗低,线路成本低且方案简单，那么当选线性电源。此前，手机大量采用LDO来为手机各个部件进行供电，但其转换效率低, 且只能用于降压的场合，而且效率低，所以随着手机的飞速发展，LDO已经满足供电需求, DC/DC的解决方法成为一种取代LDO的解决方案，也有自动PFM/PWM方式和用DC/DC+LDO双模式的电源管理解决方案。
数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量，可将数字集成电路分为小规模集成(SSI)电路、中规模集成(MSI)电路、大规模集成(LSI)电路、超大规模集成VLSI电路和特大规模集成ULSI)电路。小规模集成电路包含的门电路在10个以内，或元器件数不超过100个；中规模集成电路包含的门电路在10-100个之间，或元器件数在100-1000个之间；大规模集成电路包含的门电路在100个以上，或元器件数在10-10个之间；超大规模集成电路包含的门电路在1万个以上，或元器件数在10-10之间；特大规模集成电路的元器件数在10-10之间。它包括:基本逻辑门、触发器、寄存器、译码器、驱动器、计数器、整形电路、可编程逻辑器件、微处理器、单片机、DSP等。
集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
根据标准逻辑单元和自定义逻辑单元数量搭配模式不同，半定制ASIC 芯片可细分为门阵列芯片和标准单元芯片。门阵列ASIC 芯片包括有信道门阵列、无信道门阵列和结构化门阵列。门阵列ASIC 芯片结构中硅晶片上预定晶体管位置不可改变，设计人员多通过改变芯片底端金属层等方式调整逻辑单元互连结构。有信道门阵列ASIC 芯片:该类芯片晶体管位置高度固定，设计人员可在晶体管行之间预定义的空白空间进行电路布;