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标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c (f表示交流信号的频率，c表示电容容量)。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉(f)表示，其它单位还有:毫法(mf)、微法(uf)、纳法(nf)、皮法(pf)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法。
晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。
高反向工作电压，加在二管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了使用，规定了高反向工作电压值。反向电流是指二管在规定的温度和高反向电压作用下，流过二管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。晶体三管在电路中具有放大作用和开关作用。我们使用晶体三管在电路放大微弱的信号电流或制成自动开关，控制用电器的通断。晶体三管在电路中常用“q”加数字表示，如:q1表示编号为1的三管。
CPU 等传统芯片通过读取、执行外部程序代码指令而生成结果，相对而言，ASIC 芯片读取原始输入数据信号，并经内部逻辑电路运算后直接生成输出信号。相对CPU、GPU、FPGA 等类型芯片，ASIC 芯片在系统应用方面具备多元优势，具体表现在如下几方面。 面积优势:ASIC 芯片在设计时避免冗余逻辑单元、处理单元、寄存器、存储单元等架构，以纯粹数字逻辑电路形式构建，有利于缩小芯片面积。应对小面积芯片，同等规格晶圆可被切割出更多数量芯片，有助于企业降低晶圆成本。
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