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标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c (f表示交流信号的频率，c表示电容容量)。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉(f)表示，其它单位还有:毫法(mf)、微法(uf)、纳法(nf)、皮法(pf)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法。
集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。
广义而言，可编程ASIC 芯片可分为FPGA 芯片和PLD 芯片。在实际生产过程中，将FPGA 芯片列为不同于ASIC 芯片的研究机构和企业数量不断增加，故本报告仅将PLD(Programmable Logic Device)视为可编程ASIC 芯片子类别。PLD 亦称可编程逻辑器件，在结构上包括基础逻辑单元矩阵、触发器、锁存器等，其互连部分作为单个模块存在。设计人员通过对PLD 进行编程以满足部分定制应用程序需求。
按导电类型不同，分为双型集成电路和单型集成电路两类。双型集成电路频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的ttl、ecl、htl、lsttl、sttl型属于这一类。单型集成电路工作速度低，但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成，其主要产品为mos型集成电路。mos电路又分为nmos、pmos、cmos型。nmos集成电路是在半导体硅片上，以n型沟道mos器件构成的集成电路；参加导电的是电子。