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根据标准逻辑单元和自定义逻辑单元数量搭配模式不同，半定制ASIC 芯片可细分为门阵列芯片和标准单元芯片。门阵列ASIC 芯片包括有信道门阵列、无信道门阵列和结构化门阵列。门阵列ASIC 芯片结构中硅晶片上预定晶体管位置不可改变，设计人员多通过改变芯片底端金属层等方式调整逻辑单元互连结构。有信道门阵列ASIC 芯片:该类芯片晶体管位置高度固定，设计人员可在晶体管行之间预定义的空白空间进行电路布;
集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高 1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻在电路中用“R”加数字表示，如:R1 表示编号为 1 的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。电容（或电容量，Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为 C，单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。
晶体二管按作用可分为:整流二管(如1n4004)、隔离二管(如1n4148)、肖特基二管(如bat85)、发光二管、稳压二管等。识别方法:二管的识别很简单，小功率二管的n(负)，在二管外表大多采用1种圈标出来，有些二管也用二管符号来表示p(正)或n(负)，也有采用符号标志为“p”、“n”来确定二管性的。发光二管的正负可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。额定正向工作电流是指二管长期连续工作时允许通过的大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度(硅管为140左右，锗管为90左右)时，就会使管芯过热而损坏。