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高反向工作电压，加在二管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了使用，规定了高反向工作电压值。反向电流是指二管在规定的温度和高反向电压作用下，流过二管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。晶体三管在电路中具有放大作用和开关作用。我们使用晶体三管在电路放大微弱的信号电流或制成自动开关，控制用电器的通断。晶体三管在电路中常用“q”加数字表示，如:q1表示编号为1的三管。
基本的模拟集成电路有运算放大器、乘法器、集成稳压器、定时器、信号发生器等。数字集成电路品种很多，小规模集成电路有多种门电路，即与非门、非门、或门等;中规模集成电路有数据选择器、编码译码器、触发器、计数器、寄存器等。大规模或超大规模集成电路有PLD(可编程逻辑器件)和ASIC(集成电路)。从PLD和ASIC这个角度来讲，元件、器件、电路、系统之间的区别是很严格。不仅如此，PLD器件本身只是一个硬件载体，载入不同程序就可以实现不同电路功能。因此，现代的器件已经不是纯硬件了，软件器件和以及相应的软件电子学在现代电子设计中得到了较多的应用，其也越来越重要。 电路元器件种类繁多，随着电子技术和工艺水平的不断提高，大量新的器件不断出现，同一种器件也有多种封装形式，例如:贴片元件在现代电子产品中已随处可见。对于不同的使用环境，同一器件也有不同的工业标准，国内元器件通常有三个标准，即:民用标准、工业标准、军用标准，标准不同，价格也不同。军用标准器件的价格可能是民用标准的十倍、甚至更多。工业标准介于二者之间。
无信道门阵列ASIC 芯片:无信道结构下，晶体管行之间不存在电路布空间，设计人员通常于门阵列单元上方进行布线;结构化门阵列ASIC 芯片:该结构包括基本门阵列行及嵌入块。嵌入块可提高线路布灵活度，但对芯片体积构成限制。该结构下，线路布面积使用效率较高，设计成本较低，周转时间较短。该类ASIC 芯片由选自标准单元库的逻辑单元构成。设计人员可按算法需求自行布置标准单元。除标准单元外，微控制器、微处理器等固定块也可用于标准单元ASIC 芯片架构。
相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管—分立晶体管。