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按导电类型不同，分为双型集成电路和单型集成电路两类。双型集成电路频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的ttl、ecl、htl、lsttl、sttl型属于这一类。单型集成电路工作速度低，但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成，其主要产品为mos型集成电路。mos电路又分为nmos、pmos、cmos型。nmos集成电路是在半导体硅片上，以n型沟道mos器件构成的集成电路；参加导电的是电子。
晶体二管在电子元器件中属于半导体两端器件，它具有一个重要的属性——单向导电性，即在正向电压的作用下，导通的电阻小；可是如果在反向的电压作用下通导的店租大甚至无穷大。正因为这个特性，晶体二管在一些电子设备中应用的广泛，比如在数字电路中充当无触点开关；在收音机中对无线电波进行检波等。晶体三管的全称是半导体三管，有时候也可以称为双性晶体管等，是一种用来控制电流的半导体器件。三管具有电流放大的作用，是电子电路的核心元件之一。
集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
分立器件，分为(1)双性晶体三管(2)场效应晶体管(3)可控硅(4)半导体电阻电容电阻在电路中用"R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻.电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等.电容在电路中一般用"C"加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流.电容的容量大小表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关.