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根据标准逻辑单元和自定义逻辑单元数量搭配模式不同，半定制ASIC 芯片可细分为门阵列芯片和标准单元芯片。门阵列ASIC 芯片包括有信道门阵列、无信道门阵列和结构化门阵列。门阵列ASIC 芯片结构中硅晶片上预定晶体管位置不可改变，设计人员多通过改变芯片底端金属层等方式调整逻辑单元互连结构。有信道门阵列ASIC 芯片:该类芯片晶体管位置高度固定，设计人员可在晶体管行之间预定义的空白空间进行电路布;
晶体二管在电路中常用“D”加数字表示，如:D5 表示编号为 5 的二管。作用:二管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻大或无穷大。正因为二管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二管按作用可分为:整流二管（如 1N4004）、隔离二管（如 1N4148）、肖特基二管（如 BAT85）、发光二管、稳压二管等。
集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
与通用集成电路芯片相比，集成电路体积更小，净重更轻，功能损耗更低，性更高，特性更高，性更强，成本进一步降低。如今，集成电路的制造工艺已经成为人们关注的焦点。工艺越好意味着集成电路的特性水平越高。因此，集成电路也可以根据制造工艺进行分类，这种分类也很常见。通常经常听说5nm芯片、7nm芯片、14nm集成ic都是按照这个流程来区分的。今天的制作工艺已经可以做到5nm，下一步是3nm。一般来说，加工工艺越好，集成电路晶体管的加工速度越高，临界总面积越小，成本越低，特性越强。然而，这个术语是指单个集成电路，如果把它作为一个整体来考虑，就不一样了。根据应用领域的不同，集成电路可分为民用型(消费级)、工业生产级、汽车级和军用级集成电路，它们的主要区别在于工作温度类别。